IPL60R2K1C6SATMA1 Prezos (USD) [2911unidades de stock]
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- Número de peza:
- IPL60R2K1C6SATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 8TSON.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: TRIAC and Diodos - Zener - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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IPL60R2K1C6SATMA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPL60R2K1C6SATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 8TSON
Serie :
CoolMOS™ C6
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
2.3A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.1 Ohm @ 760mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 60µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
6.7nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
140pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
21.6W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
Thin-PAK (5x6)
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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