FF11MR12W1M1B11BOMA1 Prezos (USD) [570unidades de stock]
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- Número de peza:
- FF11MR12W1M1B11BOMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single and Tiristores: SCRs ...
- Ventaxa competitiva:
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FF11MR12W1M1B11BOMA1 Atributos do produto
Número de peza :
FF11MR12W1M1B11BOMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE
Serie :
CoolSiC™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Silicon Carbide (SiC)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 100A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.55V @ 40mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
250nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
7950pF @ 800V
Potencia: máx :
-
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Module
Paquete de dispositivos de provedores :
Module
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