Número de peza :
2N7635-GA
Fabricante :
GeneSiC Semiconductor
Descrición :
TRANS SJT 650V 4A TO-257
Estado da parte :
Obsolete
Tecnoloxía :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4A (Tc) (165°C)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
415 mOhm @ 4A
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
324pF @ 35V
Disipación de potencia (máx.) :
47W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-257
Paquete / Estuche :
TO-257-3