Infineon Technologies - IPW60R060C7XKSA1

KEY Part #: K6416355

IPW60R060C7XKSA1 Prezos (USD) [14121unidades de stock]

  • 1 pcs$2.99730
  • 240 pcs$2.98238

Número de peza:
IPW60R060C7XKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 600V 35A TO247.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - RF, Transistores - Unión programable, Tiristores: TRIAC, Transistores - IGBTs - Single, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Rectificadores - Arrays and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPW60R060C7XKSA1 Atributos do produto

Número de peza : IPW60R060C7XKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Serie : CoolMOS™ C7
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 35A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 800µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 68nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2850pF @ 400V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 162W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : PG-TO247-3
Paquete / Estuche : TO-247-3

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