NTNS3A65PZT5G Prezos (USD) [1000228unidades de stock]
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- Número de peza:
- NTNS3A65PZT5G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 20V 0.281A SOT883.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
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NTNS3A65PZT5G Atributos do produto
Número de peza :
NTNS3A65PZT5G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET P-CH 20V 0.281A SOT883
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
281mA (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.3 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
1.1nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
44pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
155mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Paquete / Estuche :
SC-101, SOT-883
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