Infineon Technologies - SPW17N80C3FKSA1

KEY Part #: K6416313

SPW17N80C3FKSA1 Prezos (USD) [13397unidades de stock]

  • 1 pcs$3.07609

Número de peza:
SPW17N80C3FKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 800V 17A TO-247.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: TRIAC, Tiristores: SCRs, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Infineon Technologies SPW17N80C3FKSA1 electronic components. SPW17N80C3FKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPW17N80C3FKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPW17N80C3FKSA1 Atributos do produto

Número de peza : SPW17N80C3FKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
Serie : CoolMOS™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 17A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 290 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 177nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2320pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 227W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : PG-TO247-3
Paquete / Estuche : TO-247-3