IXFR21N100Q Prezos (USD) [5495unidades de stock]
- 1 pcs$8.71572
- 30 pcs$8.67236
- Número de peza:
- IXFR21N100Q
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 1KV 18A ISOPLUS247.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
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IXFR21N100Q Atributos do produto
Número de peza :
IXFR21N100Q
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH 1KV 18A ISOPLUS247
Serie :
HiPerFET™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
18A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
500 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 4mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
170nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
5900pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
350W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
ISOPLUS247™
Paquete / Estuche :
ISOPLUS247™
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