Infineon Technologies - BSM50GD120DN2E3226BOSA1

KEY Part #: K6534429

BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Prezos (USD) [695unidades de stock]

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Número de peza:
BSM50GD120DN2E3226BOSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Tiristores: TRIAC ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Atributos do produto

Número de peza : BSM50GD120DN2E3226BOSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Serie : -
Estado da parte : Not For New Designs
Tipo IGBT : -
Configuración : Three Phase Inverter
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 50A
Potencia: máx : 350W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic : 3V @ 15V, 50A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce : 3.3nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete / Estuche : Module
Paquete de dispositivos de provedores : Module

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