Vishay Semiconductor Diodes Division - UGB12HTHE3/81

KEY Part #: K6446541

UGB12HTHE3/81 Prezos (USD) [1730unidades de stock]

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Número de peza:
UGB12HTHE3/81
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 500V 12A TO263AB.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UGB12HTHE3/81 Atributos do produto

Número de peza : UGB12HTHE3/81
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 500V 12A TO263AB
Serie : -
Estado da parte : Obsolete
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 500V
Actual - Media rectificada (Io) : 12A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.75V @ 12A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 50ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 30µA @ 500V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivos de provedores : TO-263AB
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

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