[1701unidades de stock]
- Número de peza:
- IDB18E120ATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IDB18E120ATMA1 electronic components. IDB18E120ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDB18E120ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDB18E120ATMA1 Atributos do produto
Número de peza :
IDB18E120ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
1200V
Actual - Media rectificada (Io) :
31A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
2.15V @ 18A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
195ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
100µA @ 1200V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO263-3
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
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