Diodes Incorporated - DMN3008SFGQ-7

KEY Part #: K6394991

DMN3008SFGQ-7 Prezos (USD) [231556unidades de stock]

  • 1 pcs$0.15973
  • 2,000 pcs$0.14194

Número de peza:
DMN3008SFGQ-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrición detallada:
MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Finalidade especial, Tiristores: TRIAC, Transistores - JFETs, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Transistores - IGBTs - Single ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Diodes Incorporated DMN3008SFGQ-7 electronic components. DMN3008SFGQ-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3008SFGQ-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3008SFGQ-7 Atributos do produto

Número de peza : DMN3008SFGQ-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrición : MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI
Serie : Automotive, AEC-Q101
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 17.6A (Ta), 62A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 86nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 3690pF @ 10V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 900mW (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PowerDI3333-8
Paquete / Estuche : 8-PowerVDFN