NVD5117PLT4G-VF01 Prezos (USD) [72890unidades de stock]
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- Número de peza:
- NVD5117PLT4G-VF01
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 60V 61A DPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Rectificadores - Arrays and Diodos - Zener - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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NVD5117PLT4G-VF01 Atributos do produto
Número de peza :
NVD5117PLT4G-VF01
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
11A (Ta), 61A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
85nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4800pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
4.1W (Ta), 118W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
DPAK
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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