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- Número de peza:
- BSP129L6327HTSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: DIACs, SIDACs, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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BSP129L6327HTSA1 Atributos do produto
Número de peza :
BSP129L6327HTSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223
Serie :
SIPMOS®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
240V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
350mA (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 Ohm @ 350mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 108µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
5.7nC @ 5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
108pF @ 25V
Función FET :
Depletion Mode
Disipación de potencia (máx.) :
1.8W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-SOT223-4
Paquete / Estuche :
TO-261-4, TO-261AA
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- SIUD406ED-T1-GE3