FZ3600R12HP4HOSA2 Prezos (USD) [72unidades de stock]
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- Número de peza:
- FZ3600R12HP4HOSA2
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MODULE IGBT IHMB190-2.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos: rectificadores de ponte, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies FZ3600R12HP4HOSA2 electronic components. FZ3600R12HP4HOSA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FZ3600R12HP4HOSA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FZ3600R12HP4HOSA2 Atributos do produto
Número de peza :
FZ3600R12HP4HOSA2
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MODULE IGBT IHMB190-2
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo IGBT :
Trench
Configuración :
Single Switch
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
4930A
Potencia: máx :
19000W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2.05V @ 15V, 3600A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
5mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce :
225nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
No
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Module
Paquete de dispositivos de provedores :
Module
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