ZXMN6A09DN8TA Prezos (USD) [73350unidades de stock]
- 1 pcs$0.53308
- 500 pcs$0.48291
- Número de peza:
- ZXMN6A09DN8TA
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - IGBTs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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ZXMN6A09DN8TA Atributos do produto
Número de peza :
ZXMN6A09DN8TA
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
24.2nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1407pF @ 40V
Potencia: máx :
1.25W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SO
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