Vishay Siliconix - SIS429DNT-T1-GE3

KEY Part #: K6393465

SIS429DNT-T1-GE3 Prezos (USD) [647879unidades de stock]

  • 1 pcs$0.05709

Número de peza:
SIS429DNT-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: SCRs, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Módulos de controlador de enerxía ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SIS429DNT-T1-GE3 electronic components. SIS429DNT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIS429DNT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIS429DNT-T1-GE3 Atributos do produto

Número de peza : SIS429DNT-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 20A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1350pF @ 15V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 27.8W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PowerPAK® 1212-8
Paquete / Estuche : PowerPAK® 1212-8