FDT86102LZ Prezos (USD) [125954unidades de stock]
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- Número de peza:
- FDT86102LZ
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
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FDT86102LZ Atributos do produto
Número de peza :
FDT86102LZ
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223
Serie :
PowerTrench®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
6.6A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
28 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1490pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.2W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-223-4
Paquete / Estuche :
TO-261-4, TO-261AA
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