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- Número de peza:
- PMZB380XN,315
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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PMZB380XN,315 Atributos do produto
Número de peza :
PMZB380XN,315
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrición :
MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
930mA (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
460 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
0.87nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
56pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
DFN1006B-3
Paquete / Estuche :
3-XFDFN
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- SIUD406ED-T1-GE3