APT19F100J Prezos (USD) [3061unidades de stock]
- 1 pcs$14.14918
- 10 pcs$13.08730
- 25 pcs$12.02634
- 100 pcs$11.17744
- 250 pcs$10.25776
- Número de peza:
- APT19F100J
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Rectificadores - Arrays and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
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APT19F100J Atributos do produto
Número de peza :
APT19F100J
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227
Serie :
POWER MOS 8™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
20A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
440 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
260nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
8500pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
460W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
ISOTOP®
Paquete / Estuche :
SOT-227-4, miniBLOC
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