Número de peza :
1N5416US
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
DIODE GEN PURP 100V 3A D5B
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
100V
Actual - Media rectificada (Io) :
3A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.5V @ 9A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
150ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
1µA @ 100V
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
E-MELF
Paquete de dispositivos de provedores :
D-5B
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 175°C