BSD816SNH6327XTSA1 Prezos (USD) [1259547unidades de stock]
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- Número de peza:
- BSD816SNH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Unión programable and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
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BSD816SNH6327XTSA1 Atributos do produto
Número de peza :
BSD816SNH6327XTSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
1.4A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.8V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
160 mOhm @ 1.4A, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
0.95V @ 3.7µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
0.6nC @ 2.5V
Vgs (máximo) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
180pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
500mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-SOT363-6
Paquete / Estuche :
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
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