V8PM12HM3_A/H Prezos (USD) [280330unidades de stock]
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- 6,000 pcs$0.10220
- Número de peza:
- V8PM12HM3_A/H
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE SCHOTTKY 120V 3.6A TO277A.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Rectificadores - Solteiros and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
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V8PM12HM3_A/H Atributos do produto
Número de peza :
V8PM12HM3_A/H
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE SCHOTTKY 120V 3.6A TO277A
Serie :
Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
120V
Actual - Media rectificada (Io) :
3.6A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
840mV @ 8A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
300µA @ 120V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-277, 3-PowerDFN
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-277A (SMPC)
Temperatura de funcionamento: unión :
-40°C ~ 150°C
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- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
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