Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-4EWH02FNTR-M3

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Número de peza:
VS-4EWH02FNTR-M3
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK. Rectifiers Hyperfast 4A 200V 23ns
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-4EWH02FNTR-M3 Atributos do produto

Número de peza : VS-4EWH02FNTR-M3
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK
Serie : Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 200V
Actual - Media rectificada (Io) : 4A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 950mV @ 4A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 20ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 3µA @ 200V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivos de provedores : D-PAK (TO-252AA)
Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 175°C

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