Número de peza :
SI5499DC-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
Estado da parte :
Obsolete
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
8V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
6A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
36 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
35nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1290pF @ 4V
Disipación de potencia (máx.) :
2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
1206-8 ChipFET™
Paquete / Estuche :
8-SMD, Flat Lead