DMT10H017LPD-13 Prezos (USD) [113872unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMT10H017LPD-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos: rectificadores de ponte, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: TRIAC, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Diodos - Zener - Arrays ...
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DMT10H017LPD-13 Atributos do produto
Número de peza :
DMT10H017LPD-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
54.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17.4 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
28.6nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1986pF @ 50V
Potencia: máx :
2.2W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerDI5060-8
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