Rohm Semiconductor - RDN100N20FU6

KEY Part #: K6407336

RDN100N20FU6 Prezos (USD) [1009unidades de stock]

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Número de peza:
RDN100N20FU6
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RDN100N20FU6 Atributos do produto

Número de peza : RDN100N20FU6
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrición : MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
Serie : -
Estado da parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 10A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 543pF @ 10V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 35W (Tc)
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-220FN
Paquete / Estuche : TO-220-3 Full Pack

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