Vishay Semiconductor Diodes Division - ES2FHE3/5BT

KEY Part #: K6447586

[1374unidades de stock]


    Número de peza:
    ES2FHE3/5BT
    Fabricante:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrición detallada:
    DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - JFETs, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - RF ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ES2FHE3/5BT Atributos do produto

    Número de peza : ES2FHE3/5BT
    Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrición : DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA
    Serie : -
    Estado da parte : Discontinued at Digi-Key
    Tipo de diodo : Standard
    Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 300V
    Actual - Media rectificada (Io) : 2A
    Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.1V @ 2A
    Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Tempo de recuperación inversa (trr) : 50ns
    Actual - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 300V
    Capacitancia @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete / Estuche : DO-214AA, SMB
    Paquete de dispositivos de provedores : DO-214AA (SMB)
    Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

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