Infineon Technologies - IPP60R165CPXKSA1

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Número de peza:
IPP60R165CPXKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Tiristores: SCRs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Unión programable, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - RF ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP60R165CPXKSA1 Atributos do produto

Número de peza : IPP60R165CPXKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
Serie : CoolMOS™
Estado da parte : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 21A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 165 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 790µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 52nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2000pF @ 100V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 192W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : PG-TO220-3
Paquete / Estuche : TO-220-3