HGT1S10N120BNST Prezos (USD) [51869unidades de stock]
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- Número de peza:
- HGT1S10N120BNST
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- IGBT 1200V 35A 298W TO263AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single and Diodos: rectificadores de ponte ...
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HGT1S10N120BNST Atributos do produto
Número de peza :
HGT1S10N120BNST
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo IGBT :
NPT
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
35A
Actual - Coleccionista pulsado (Icm) :
80A
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2.7V @ 15V, 10A
Potencia: máx :
298W
Enerxía de conmutación :
320µJ (on), 800µJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga de porta :
100nC
Td (activado / apagado) a 25 ° C :
23ns/165ns
Condición da proba :
960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-263AB
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