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- Número de peza:
- IHW30N100R
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- IGBT 1000V 60A 412W TO247-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IHW30N100R electronic components. IHW30N100R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IHW30N100R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IHW30N100R Atributos do produto
Número de peza :
IHW30N100R
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
IGBT 1000V 60A 412W TO247-3
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1000V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
60A
Actual - Coleccionista pulsado (Icm) :
90A
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
1.7V @ 15V, 30A
Potencia: máx :
412W
Enerxía de conmutación :
2.1mJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga de porta :
209nC
Td (activado / apagado) a 25 ° C :
-/846ns
Condición da proba :
600V, 30A, 26 Ohm, 15V
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Temperatura de operación :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
TO-247-3
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO247-3
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