SQ3985EV-T1_GE3 Prezos (USD) [344842unidades de stock]
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- Número de peza:
- SQ3985EV-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET 2 P-CH 20V 3.9A 6TSOP.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: SCRs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos: rectificadores de ponte, Tiristores: DIACs, SIDACs and Diodos - RF ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SQ3985EV-T1_GE3 electronic components. SQ3985EV-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ3985EV-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQ3985EV-T1_GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SQ3985EV-T1_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET 2 P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 P-Channel (Dual)
Función FET :
Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
145 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
4.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
350pF @ 10V
Potencia: máx :
3W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivos de provedores :
6-TSOP
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