STMicroelectronics - STI150N10F7

KEY Part #: K6401904

STI150N10F7 Prezos (USD) [27833unidades de stock]

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  • 1,000 pcs$0.62219

Número de peza:
STI150N10F7
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Arrays and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STI150N10F7 Atributos do produto

Número de peza : STI150N10F7
Fabricante : STMicroelectronics
Descrición : MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK
Serie : STripFET™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 110A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 117nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 8115pF @ 50V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 250W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : I2PAK (TO-262)
Paquete / Estuche : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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