Vishay Semiconductor Diodes Division - V4PAN50-M3/I

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Número de peza:
V4PAN50-M3/I
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO221BC. Schottky Diodes & Rectifiers 4A 50V TrenchMOS
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: SCRs, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Tiristores: TRIAC ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

V4PAN50-M3/I Atributos do produto

Número de peza : V4PAN50-M3/I
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO221BC
Serie : TMBS®
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 50V
Actual - Media rectificada (Io) : 3A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 430mV @ 2A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 600µA @ 50V
Capacitancia @ Vr, F : 480pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Paquete de dispositivos de provedores : DO-221BC (SMPA)
Temperatura de funcionamento: unión : -40°C ~ 150°C

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