Vishay Semiconductor Diodes Division - SE30PAJ-M3/I

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Número de peza:
SE30PAJ-M3/I
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 600V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3A, 600V, ESD PROTECTION, SMPA
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Tiristores: TRIAC, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Unión programable and Diodos - RF ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SE30PAJ-M3/I Atributos do produto

Número de peza : SE30PAJ-M3/I
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 600V 1.4A DO221AC
Serie : Automotive, AEC-Q101
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 600V
Actual - Media rectificada (Io) : 1.4A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 910mV @ 1.5A
Velocidade : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 1.5µs
Actual - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F : 19pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : DO-221AC, SMA Flat Leads
Paquete de dispositivos de provedores : DO-221AC
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 175°C

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    DIODE GEN PURP 600V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3A, 600V, ESD PROTECTION, SMPA