BSZ0503NSIATMA1 Prezos (USD) [195188unidades de stock]
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- 5,000 pcs$0.18302
- Número de peza:
- BSZ0503NSIATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 20A 8SON.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - RF, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - IGBTs - Arrays ...
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BSZ0503NSIATMA1 Atributos do produto
Número de peza :
BSZ0503NSIATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 20A 8SON
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
20A (Ta), 40A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1300pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.1W (Ta), 36W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TSDSON-8-FL
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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- BUK7Y53-100B,115
- SIUD406ED-T1-GE3