IXYS - IXTQ22N50P

KEY Part #: K6397780

IXTQ22N50P Prezos (USD) [21953unidades de stock]

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Número de peza:
IXTQ22N50P
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTQ22N50P Atributos do produto

Número de peza : IXTQ22N50P
Fabricante : IXYS
Descrición : MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P
Serie : PolarHV™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 500V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 22A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 270 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2630pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 350W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-3P
Paquete / Estuche : TO-3P-3, SC-65-3

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