APT58M80J Prezos (USD) [1728unidades de stock]
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- 10 pcs$23.59031
- 25 pcs$22.11609
- 100 pcs$21.08400
- Número de peza:
- APT58M80J
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos: rectificadores de ponte and Módulos de controlador de enerxía ...
- Ventaxa competitiva:
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APT58M80J Atributos do produto
Número de peza :
APT58M80J
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
60W (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
110 mOhm @ 43A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 5mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
570nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
17550pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
960W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-227
Paquete / Estuche :
SOT-227-4, miniBLOC
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