Infineon Technologies - FS25R12W1T4BOMA1

KEY Part #: K6534655

FS25R12W1T4BOMA1 Prezos (USD) [2473unidades de stock]

  • 1 pcs$17.50811

Número de peza:
FS25R12W1T4BOMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
IGBT MODULE 1200V 25A.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS25R12W1T4BOMA1 Atributos do produto

Número de peza : FS25R12W1T4BOMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : IGBT MODULE 1200V 25A
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Configuración : Three Phase Inverter
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 45A
Potencia: máx : 205W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic : 2.25V @ 15V, 25A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce : 1.45nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : Yes
Temperatura de operación : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete / Estuche : Module
Paquete de dispositivos de provedores : Module

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