Vishay Siliconix - SI2333CDS-T1-E3

KEY Part #: K6419140

SI2333CDS-T1-E3 Prezos (USD) [485597unidades de stock]

  • 1 pcs$0.07617
  • 3,000 pcs$0.06474

Número de peza:
SI2333CDS-T1-E3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - JFETs, Diodos - RF and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SI2333CDS-T1-E3 electronic components. SI2333CDS-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2333CDS-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2333CDS-T1-E3 Atributos do produto

Número de peza : SI2333CDS-T1-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Serie : TrenchFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 12V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 7.1A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 25nC @ 4.5V
Vgs (máximo) : ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1225pF @ 6V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Estuche : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3