RFN3BGE6STL Prezos (USD) [346759unidades de stock]
- 1 pcs$0.10667
- Número de peza:
- RFN3BGE6STL
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrición detallada:
- SUPER FAST RECOVERY DIODE. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600V Vrm; 3A Io TO-252 Rec Diode
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Unión programable and Transistores - Finalidade especial ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor RFN3BGE6STL electronic components. RFN3BGE6STL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RFN3BGE6STL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RFN3BGE6STL Atributos do produto
Número de peza :
RFN3BGE6STL
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
SUPER FAST RECOVERY DIODE
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
600V
Actual - Media rectificada (Io) :
3A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.55V @ 3A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
30ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
10µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-252GE
Temperatura de funcionamento: unión :
150°C (Max)
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