BSM100GD120DN2BOSA1 Prezos (USD) [383unidades de stock]
- 1 pcs$121.22283
- Número de peza:
- BSM100GD120DN2BOSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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BSM100GD120DN2BOSA1 Atributos do produto
Número de peza :
BSM100GD120DN2BOSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
Serie :
-
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo IGBT :
-
Configuración :
Three Phase Inverter
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
150A
Potencia: máx :
680W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
3V @ 15V, 100A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
2mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce :
6.5nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
No
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Module
Paquete de dispositivos de provedores :
Module
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