Número de peza :
IXTY08N100D2
Descrición :
MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
800mA (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21 Ohm @ 400mA, 0V
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
14.6nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
325pF @ 25V
Función FET :
Depletion Mode
Disipación de potencia (máx.) :
60W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-252, (D-Pak)
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63