Número de peza :
IXFN50N120SIC
Tecnoloxía :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
47A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 2mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
100nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1900pF @ 1000V
Disipación de potencia (máx.) :
-
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-227B
Paquete / Estuche :
SOT-227-4, miniBLOC