Número de peza :
NTP8G206NG
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 17A TO220
Estado da parte :
Obsolete
Tecnoloxía :
GaNFET (Gallium Nitride)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
17A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 11A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 500µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
9.3nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
760pF @ 480V
Disipación de potencia (máx.) :
96W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220-3
Paquete / Estuche :
TO-220-3