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- Número de peza:
- APTM100H80FT1G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrición detallada:
- MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: SCRs, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
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APTM100H80FT1G Atributos do produto
Número de peza :
APTM100H80FT1G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
4 N-Channel (H-Bridge)
Función FET :
Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1000V (1kV)
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
960 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
150nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3876pF @ 25V
Potencia: máx :
208W
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
SP1
Paquete de dispositivos de provedores :
SP1
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