EPC2108 Prezos (USD) [113220unidades de stock]
- 1 pcs$0.34825
- 2,500 pcs$0.34652
- Número de peza:
- EPC2108
- Fabricante:
- EPC
- Descrición detallada:
- GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Módulos de controlador de enerxía and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
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EPC2108 Atributos do produto
Número de peza :
EPC2108
Fabricante :
EPC
Descrición :
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Serie :
eGaN®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Función FET :
GaNFET (Gallium Nitride)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V, 100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Potencia: máx :
-
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
9-VFBGA
Paquete de dispositivos de provedores :
9-BGA (1.35x1.35)
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