Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
120mA (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
2.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
79pF @ 25V
Disipación de potencia (máx.) :
360mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-23
Paquete / Estuche :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3