R8002ANJFRGTL Prezos (USD) [85268unidades de stock]
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- Número de peza:
- R8002ANJFRGTL
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrición detallada:
- R8002ANJ FRG IS A POWER MOSFET W.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: TRIAC, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Arrays and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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R8002ANJFRGTL Atributos do produto
Número de peza :
R8002ANJFRGTL
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
R8002ANJ FRG IS A POWER MOSFET W
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
2A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.3 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
250pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
62W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
LPTS
Paquete / Estuche :
SC-83
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