Número de peza :
FDC021N30
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
PT8 N 30V/20V MOSFET
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
6.1A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
26 mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
10.8nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
710pF @ 15V
Disipación de potencia (máx.) :
700mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SuperSOT™-6
Paquete / Estuche :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6