Infineon Technologies - IRLR2905TRLPBF

KEY Part #: K6404924

IRLR2905TRLPBF Prezos (USD) [168082unidades de stock]

  • 1 pcs$0.22006
  • 3,000 pcs$0.17541

Número de peza:
IRLR2905TRLPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Arrays and Tiristores: TRIAC ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Infineon Technologies IRLR2905TRLPBF electronic components. IRLR2905TRLPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR2905TRLPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLR2905TRLPBF Atributos do produto

Número de peza : IRLR2905TRLPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Serie : HEXFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 55V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 42A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 48nC @ 5V
Vgs (máximo) : ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1700pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 110W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : D-Pak
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63